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      東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

      2020年10月20日 15:18 ? 次閱讀

      中國上海,2020年10月19日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產品面向工業應用(包括大容量電源),并于今日開始出貨。

      該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料,與常規的硅(Si)MOSFET、IGBT產品相比,具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性,有利于降低功耗,精簡系統。

      新產品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設計生產[1],實現了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)“GT40QR21”相比,“TW070J120B”關斷開關損耗降低80%左右,開關時間(下降時間)縮短大約70%,并且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導通電壓。

      它的柵閾值電壓被設置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內,有助于減少故障風險(意外開啟或關閉)。此外,內置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)也有助于降低功率損耗。

      在大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中,這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的,而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。

      應用:

      ?大容量AC-DC轉換器

      ?光伏逆變器

      ?大容量雙向DC-DC轉換器

      特性:

      ?第2代芯片設計(內置碳化硅SBD)

      ?高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓:

      VDSS=1200V,Ciss=1680pF(典型值),Qg=67nC(典型值),

      RDS(ON)=70mΩ(典型值),VDSF=-1.35V(典型值),Vth=4.2~5.8V

      ?增強類型易于操作

      主要規格:

      (除非另有說明,@Ta=25℃)

      器件型號TW070J120B
      封裝TO-3P(N)
      絕對最大額定值漏-源電壓VDSS(V)1200
      漏極電流(DC)ID@TC=25℃(A)36.0
      電氣特性漏-源導通電阻RDS(ON)典型值
      @VGS=20V(mΩ)
      70
      柵閾值電壓Vth
      @VDS=10V,ID=20mA(V)
      4.2至5.8
      總柵電荷Qg典型值(nC)67
      輸入電容Ciss典型值(pF)1680
      二極管正向電壓VDSF典型值
      @IDR=10A,VGS=-5V(V)
      -1.35
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      注釋:

      [1]東芝于2020年7月30日發布的新聞:“可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的東芝新器件結構問世”

      [2]環境溫度25℃

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