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      侵權投訴

      太強了!國際大廠3D NAND明年將達176層,國產QLC躋身第一梯隊!

      Carol Li ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李彎彎 ? 2020-10-20 07:41 ? 次閱讀

      電子發燒友網報道(文/李彎彎)在半導體行業的存儲芯片細分領域,最常被提到的是NAND Flash、NOR Flash、DRAM,其中NAND Flash約占存儲細分領域的44%。
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      今年8月,IC Insights在一份報告中預測到,NAND 今年有望成為第二大IC市場,銷售額達560億美元,增長27%,在33種IC產品類別中,增長最為強勁。
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      NAND Flash在智能手機中的eMMC、UFS,以及消費級SSD和企業級SSD中都會用到,應用領域主要包括數據中心、消費電子、移動通信、汽車及工業領域。
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      近幾年,NAND Flash在3D 堆疊和QLC技術上發展迅速,當前100層+3D NAND和QLC被認為是最新技術,不少廠商已經突破100層+,并且正在向更高層數推進,也有很多廠商已經推出幾代QLC NAND,并在SSD中規模應用。
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      176層3D NAND預計明年4月量產

      從全球范圍來看,NAND Flash廠商主要有三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數據、SK海力士,以及中國臺灣地區的旺宏,以及國內的長江存儲、兆易創新、東芯半導體、北京君正(收購北京矽成)、南京揚賀揚微電子。
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      目前三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數據、SK海力士、長江存儲已經推出或量產3D NAND產品。128層是目前已經量產的最高層數,三星、SK海力士已經實現量產。
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      美光公司在今年二季度財報電話會議中表示,公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器(128層)的量產工作,按計劃將于2020 Q3 開始生產,Q4 向客戶發貨。
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      值得關注的是,國產領先NAND Flash廠商長江存儲也已于今年4月份發布128層3D NAND產品,并將于今年年底或明年年初量產128層3D NAND。
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      與2D NAND 相比,3D NAND 能夠實現更高的容量和性能、更低的功耗和成本,因此提高3D NAND 層數,產品的容量和性能將更高,這也是為什么眾多廠商都在積極研發和推出更高層數的3D NAND產品。
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      除了已經量產的128層3D NAND,英特爾預計將在今年年底實現更高層數144層產品的量產,另外三星正在開發176層第七代V-NAND,計劃明年4月實現量產,SK 海力士也正在進行176層3D NAND的研發。
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      QLC SSD未來市場增量將非??捎^

      NAND可分為SLC、MLC、TLC、QLC,QLC是繼SLC、MLC、TLC之后3D NAND的又一新技術形態,具有大容量、高密度等特點,適合于讀取密集型應用。
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      圖片來自網絡

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      SLC、MLC、TLC、QLC有哪些區別?如上圖所示,SLC(Single-Level Cell)每個Cell單元存儲1bit信息,只有0、1兩種電壓變化,優點是壽命長、性能強,缺點是容量低、成本高。

      MLC(Multi-Level Cell)每個cell單元存儲2bit信息,電壓控制比SLC復雜,有00,01,10,11四種變化,寫入性能、可靠性降低,壽命較SLC低。

      TLC(Trinary-Level Cell)每個cell單元存儲3bit信息,電壓從000到001有8種變化,容量比MLC增加1/3,成本更低,但是架構更復雜,寫入速度慢,壽命相對而言較MLC更低。
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      QLC(Quad-Level Cell)每個cell單元存儲4bit信息,電壓有16種變化,其最大的優點是容量能增加33%,缺點是寫入性能、壽命與TLC相比會進一步降低。
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      性能、壽命相比之下都較低,為什么廠商還是積極推出QLC產品,閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong此前談到,QLC降低了NAND閃存單位字節(Byte)的成本,更適合作大容量存儲介質。?隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上,QLC SSD未來市場增量將非??捎^。
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      Gregory認為,與傳統HDD相比,QLC SSD更具性能優勢。在企業級領域,QLC SSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲,使其更適用于AI計算、機器學習、實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域,QLC將率先在大容量U盤,閃存卡和SSD中普及。
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      目前已經有多家廠商陸續推出不同層數的3D QLC NAND,當前在SSD中使用的基本上市96層的3D QLC NAND,其中西部數據/鎧俠已經推出112層3D QLC NAND,預計2020下半年大規模生產,長江存儲已經推出128層QLC NAND,預計今年底或明年初量產。
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      英特爾最早于2017年推出了64 層 QLC NAND,2019年該公司又推出96層QLC NAND,預計今年年底推出的144層 3D NAND也將采用QLC技術。英特爾已經將QLC大規模應用在SSD中,據報道,截至今年2月,英特爾大連工廠共生產了1000萬塊QLC SSD。
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      美光之前與英特爾共同研發QLC NAND,并于2018年宣布64層3D QLC NAND產品開始生產和出貨,隨后美光還發布了Micron 5210 ION固態硬盤,是全球首款QLC NAND SSD,相比TLC NAND提供的位密度提高33%。2020年5月,美光推出了兩款SSD,其中一款2210 SSD就采用了是96層 3D QLC NAND。
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      三星2019年在自己研發的860 QVO固態硬盤,嵌入一顆容量高達1TB的V-NAND QLC顆粒,2020年7月,三星發布了新款870 QVO SSD,采用其第二代 QLC 閃存,92層堆疊,可提供最高 560 MB/s 和 530 MB/s 的順序讀取和寫入速度。
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      西部數據與愷俠合作于2017年研發了64層3D QLC,2018年中,西部數據推出新的96層,密度為1.33Tb的3D QLC,2019年11月,該公司宣布其基于96層3D QLC顆粒的產品在2019年第三季度開始出貨。2020年2月,西部數據宣布已經與合作伙伴鎧俠成功研發出第五代3D NAND技術BiCS5,采用112層堆疊,BiCS5架構主要基于TLC和QLC技術,將在2020年下半年大規模生產。
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      長江存儲今年四月份首次推出QLC?3D NAND,不過值得關注的是,長江存儲推出的這款QLC?3D NAND是128層的,是目前推出的QLC?3D NAND產品中層數最高的產品,長江存儲表示,該產品已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證,預計今年底或者明年初量產。
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      小結

      近幾年NAND Flash的價格波動也相當大,2019年上半年,因為市場需求低迷,消費類NAND Flash價格大跌30%以上,后來價格也是反復。
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      今年第一季度因為疫情原因,供貨緊張,其價格漲幅超過30%,隨后NAND市場一直呈現下跌趨勢,據TrendForce最新預測,智能手機市場需求疲軟,服務器需求沒有復蘇跡象,預計第四季度價格將會持續下降,季跌幅約為10%。
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      不過不管是從短期還是長期來看,更高層數和QLC技術帶來的更大容量和更低成本,將更有助于廠商獲得更多市場機會。
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      ?本文由電子發燒友原創,未經授權禁止轉載。如需轉載,請添加微信elecfans999。

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      國內SSD價格已下跌到最低水位,NAND閃存價格后續有較大上漲空間

      你知道未來的存儲技術會是什么樣子嘛?

      多年來,供應商一直在開發一種可以將非易失性內存插入傳統DIMM插槽(易失性DRAM使用的插槽)的技術....
      的頭像 ssdfans 發表于 08-22 09:14 ? 676次 閱讀
      你知道未來的存儲技術會是什么樣子嘛?

      海力士發布全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD

      SK海力士發布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31,提供5....
      的頭像 21克888 發表于 08-19 13:59 ? 1718次 閱讀
      海力士發布全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD

      存儲芯片價格下滑的趨勢將持續到明年上半年?

      如果存儲芯片價格下滑,DRAM與NAND閃存的銷售額,還能否達到預期就存在變數。研究機構預計今年全球....
      的頭像 我快閉嘴 發表于 08-17 16:34 ? 667次 閱讀
      存儲芯片價格下滑的趨勢將持續到明年上半年?

      存儲芯片商普冉股份沖刺科創板 NOR Flash爆發式增長

      科創板芯版圖或再添一位新軍。 近日,上交所受理了普冉半導體(上海)股份有限公司(以下稱普冉股份)的科....
      發表于 08-13 16:29 ? 555次 閱讀
      存儲芯片商普冉股份沖刺科創板 NOR Flash爆發式增長

      西安二期一階段NAND Flash項目預計9月滿產,產量將占三星總規模35%

      據西安發布報道,西安于8月5日下午舉行企業家座談會,三星(中國)半導體有限公司副總裁池賢基在會上談到....
      的頭像 Carol Li 發表于 08-07 09:39 ? 2567次 閱讀
      西安二期一階段NAND Flash項目預計9月滿產,產量將占三星總規模35%

      DRAM和NAND預計2020年占所有IC銷售額三分之一,NAND閃存同比大增27%

      IC Insights的最近發布最新報告,預測33個大IC產品類別銷售額和單位出貨量。33種IC產品....
      的頭像 Carol Li 發表于 08-05 09:29 ? 2210次 閱讀
      DRAM和NAND預計2020年占所有IC銷售額三分之一,NAND閃存同比大增27%

      回顧聯蕓科技的NAND DSP研究成果

      聯蕓科技 Self-Adaptive NAND DSP 的自適配技術,能快速提升 LDPC 硬解碼和....
      發表于 08-04 14:03 ? 272次 閱讀
      回顧聯蕓科技的NAND DSP研究成果

      淺談3D NAND Flash技術未來的走向及發展趨勢

      2020年5月17日-20日舉行了在線IMW(International Memory Worksh....
      發表于 07-30 11:14 ? 955次 閱讀
      淺談3D NAND Flash技術未來的走向及發展趨勢

      關于將Virtex-6 IO標準連接到Flash IO標準的問題如何解決

      親愛的專家, 我對FPGA很新,所以如果我的問題很愚蠢,我很抱歉。 我正在開發一個使用Virtex 6設計NAND閃存控制器的項...
      發表于 06-17 14:21 ? 153次 閱讀
      關于將Virtex-6 IO標準連接到Flash IO標準的問題如何解決

      請問UBL可以不放在0地址嗎?

      今天整理了一下思路,在看linux內核代碼時突然想到一個問題,(使用的NANDFLASH,512M的,還使用過spi flash 16M),...
      發表于 04-20 10:35 ? 111次 閱讀
      請問UBL可以不放在0地址嗎?

      程序燒寫后擦除出現錯誤

      [tr]之前程序可以順利跑下來,將程序燒寫進入nand以后,發現沒有之前的效果,擦除以后仿真發現程序出現問題(擦除我是用的燒寫時...
      發表于 04-17 11:25 ? 214次 閱讀
      程序燒寫后擦除出現錯誤

      請問F429核心板要做等長布線嗎?

      原子哥,我根據F429原理圖做核心板,F429+nand+sdram,程序在開發板上能跑,但在我這塊板上跑的有問題,nand數據讀取不到,咨詢...
      發表于 04-13 04:35 ? 219次 閱讀
      請問F429核心板要做等長布線嗎?

      求助下面這是什么錯誤

      NAND device: Manufacturer ID: 0xec, Chip ID: 0xda (Samsung NAND 256MiB 3,3V 8-bit) Scanning device ...
      發表于 04-13 03:50 ? 259次 閱讀
      求助下面這是什么錯誤

      怎么在S3C2410上移植yaffs2文件系統?

      當然如果你的NAND FLASH只是512+16B的,可以只移植yaffs,因為即使你移植了yaffs2,它也會自動選擇掛載yaffs1的。...
      發表于 03-18 07:11 ? 349次 閱讀
      怎么在S3C2410上移植yaffs2文件系統?

      i.mx287 USB固件燒寫到NAND Flash失敗

      板子是自己畫的,原理參照周立功I.MX287的工控板。 CPU芯片型號是:MCIMX287CVM4B   ;  &n...
      發表于 12-18 10:23 ? 999次 閱讀
      i.mx287 USB固件燒寫到NAND Flash失敗

      ClearNAND閃存的功能怎么改善?

      自問世以來,NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構...
      發表于 11-11 07:52 ? 447次 閱讀
      ClearNAND閃存的功能怎么改善?

      為什么u-boot重新上電后串口沒有數據彈出?

      我通過jlink仿真器將U-BOOT下載到NAND FLASH中,但是重新上電后,串口無數據彈出,請幫忙分析下原因好吧?我的操作...
      發表于 11-05 00:30 ? 380次 閱讀
      為什么u-boot重新上電后串口沒有數據彈出?
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